臺積電和英偉達兩大芯片巨頭，傳來新消息！

　　12月5日，有報道稱，臺積電正與英偉達洽談，在臺積電位于美國亞利桑那州的新工廠生產Blackwell人工智能芯片。英偉達于今年3月推出了Blackwell系列芯片，客戶對這款芯片的需求很高，目前已經供不應求。據悉，臺積電已在為其美國新工廠明年初投產該芯片做準備。

　　芯片領域的另外幾則消息，也引發市場關注。日前有傳聞稱，SK海力士將采用臺積電3nm制程生產第六代高頻寬內存HBM4。另外，還有消息稱，馬斯克的xAI已訂購10.8億美元的英偉達GB200 AI服務器，并獲得優先交付權。此外，12月5日，越南計劃投資部發布聲明稱，越南總理范明政當日會見到訪的英偉達CEO黃仁勛。英偉達同越南政府簽署協議，將在該國建設AI研發中心。

　　來看詳細報道！

　　英偉達、臺積電最新

　　據路透社報道，多位知情人士稱，臺積電正與英偉達洽談，討論在臺積電位于美國亞利桑那州的新工廠生產英偉達的Blackwell人工智能芯片。知情人士稱，臺積電正在為明年初投產做準備。對此，臺積電和英偉達拒絕發表評論。

　　Blackwell是英偉達今年3月發布的AI芯片。英偉達表示，生成式AI和加速計算領域的客戶對其Blackwell芯片的需求很高，目前已經供不應求。據悉，在為聊天機器人提供答案等任務中，Blackwell芯片的速度最高要快30倍，同時功耗降低了25倍。

　　知情人士稱，上述協議一旦敲定，將為臺積電亞利桑那州工廠爭取到另一個客戶，該工廠計劃于明年開始批量生產。目前，蘋果和AMD是臺積電亞利桑那州新工廠的現有客戶。

　　報道提到，盡管臺積電計劃在亞利桑那州生產英偉達Blackwell芯片的前端工藝，但這些芯片仍需要運回中國臺灣地區進行封裝。這是因為亞利桑那州的設施目前不具備芯片上晶圓基板（CoWoS）封裝能力，這是Blackwell芯片所必需的關鍵技術。臺積電所有的CoWoS封裝產能目前都集中在中國臺灣地區。

　　臺積電是世界上最大的合同芯片制造商，如今正投資數百億美元在美國鳳凰城建造三座工廠。英偉達目前正在全力生產Blackwell芯片，且在努力擴大明年的產能，但仍將供不應求。

　　研究公司Creative Strategies的CEO兼首席分析師Ben Bajarin表示：“與之前的芯片相比，Blackwell采用了更先進的封裝技術，這就增加了一個難題?！盉ajarin預計，整個2025年英偉達的Blackwell芯片都將處于供不應求的局面。

　　英偉達是人工智能熱潮的主要受益者，今年以來，該公司的股價已經上漲近2倍，總市值超過3.5萬億美元，為全球市值第二高的上市公司，僅比排名第一的蘋果公司低1000億美元。

　　目前，英偉達的下一代旗艦AI芯片Blackwell正在積極交付中。第三季度，包括微軟、甲骨文和OpenAI在內的許多終端客戶已經開始接收該公司的下一代人工智能芯片Blackwell。英偉達創始人兼CEO黃仁勛近日表示，Blackwell已“全面投入生產”。

　　另外兩大傳聞

　　日前，DigiTimes報道稱，馬斯克旗下的AI初創公司xAI，已向英偉達訂購了價值10.8億美元的GB200 AI服務器，并獲得了優先交付權。預計英偉達將于2025年1月開始交付這些服務器，由富士康代工生產。

　　報道稱，馬斯克直接聯系了英偉達CEO黃仁勛，討論了xAI的GB200服務器訂單事宜。優先獲得英偉達的AI服務器有助于xAI更好地實現其目標。

　　黃仁勛和馬斯克之間一直有良好的關系。黃仁勛曾多次公開贊賞特斯拉，表示“特斯拉在自動駕駛汽車方面遙遙領先。但總有一天，每一輛車都必須具備自動駕駛能力，這更安全、更方便，也更有趣?！?/p>

　　上個月，有消息稱馬斯克正在與英偉達討論對xAI的潛在投資。當時，黃仁勛拒絕評論相關傳聞，但認可了xAI團隊的辛勤工作。

　　今年11月下旬，xAI在完成50億美元的融資后，估值達到約500億美元，在六個月內估值幾乎翻了一倍。據知情人士透露，最新一輪的投資者包括卡塔爾投資局、Valor Equity Partners、紅杉資本和Andreessen Horowitz。近日，還有消息稱，馬斯克旗下xAI公司計劃最早于12月推出其旗下Grok聊天機器人的獨立應用程序，與OpenAI競爭。

　　日前，還有消息稱，SK海力士將采用臺積電3nm生產HBM4?！俄n國經濟新聞》報道稱，傳聞韓國存儲芯片大廠SK海力士應重要客戶的要求，將于2025年下半年以臺積電3nm制程為客戶生產定制化的第六代高頻寬內存HBM4。

　　報道稱，消息人士透露，SK海力士已決定與臺積電合作，最快明年3月就會發布一款采用臺積電3nm制程生產的基礎裸片（base die）的垂直堆疊HBM4原型，而主要出貨的客戶是英偉達。

　　根據現有的消息來看，SK海力士會將其HBM4的基礎裸片交由臺積電3nm制程制造，有望相比之前的傳聞的5nm制程帶來20%~30%的提升。而三星的HBM4的基礎裸片此前傳聞將會采用4nm制程制造，這也意味著SK海力士的HBM4可能將會比三星更具優勢。

　　有業內人士近日爆料稱，SK海力士之所以改為采用臺積電3nm制程來制造HBM4基礎裸片，是為了應對三星以4nm來生產HBM4基礎裸片的聲明。結果，三星現在也考慮以3nm生產HBM4基礎裸片，甚至可能選用臺積電的3nm制程。